Les irradiations aux ions lourds de composants microélectroniques peuvent entrainer différentes sortes de dégradations qui pour la plupart sont caractérisées par une augmentation du courant de fuite au travers de l'oxyde de grille du composant. Ces effets auront des conséquences négatives sur la durée de vie et la fiabilité du composant. La cause de ces effets est le déplacement atomique consécutif à l'impact de l'ion lourd. Cette thèse a pour objectif de caractériser à l'échelle atomique par des méthodes de dynamique moléculaire classique et ab initio les phénomènes physico-chimiques à la base des effets de déplacement atomique afin d'améliorer le durcissement de composants soumis à des irradiations. Cette étude sera menée aussi bien dans les matériaux actuellement utilisés comme oxyde de grille en microélectronique (SiO2, HfO2) que dans les matériaux des prochaines générations de composants (Al2O3, La2O3). Les travaux seront en lien direct avec d'autres échelles de simulation (simulation Monte Carlo ou modèle continu) et des expériences.